Описание
Модель Samsung 9100 PRO
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe 5.0 x4
Ёмкость накопителя 4000 Гбайт
Тип памяти V-NAND
DRAM буфер: да
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 14800 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 13400 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 2200000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 2600000 IOPS
Средняя наработка на отказ 1500000 ч
TBW твердотельного накопителя 2400 Тбайт
Дополнительно
Особенности: расширенный температурный диапазон
Назначение: клиентские ПК
Показать полностью
Свернуть
Характеристики
Бренд
Samsung Electronics
Кратность
1
Объем м3
0
Ширина (м)
0
Высота (м)
0
Глубина (м)
0
Реестр МПТ РФ
Нет