Описание
Модель Samsung 9100 PRO
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe 5.0 x4
Ёмкость накопителя 1000 Гбайт
Тип памяти V-NAND
DRAM буфер: да
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 14700 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 13300 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 1850000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 2600000 IOPS
Средняя наработка на отказ 1500000 ч
TBW твердотельного накопителя 600 Тбайт
Дополнительно
Особенности: расширенный температурный диапазон
Назначение: клиентские ПК
Показать полностью
Свернуть
Характеристики
Бренд
Samsung Electronics
Кратность
1
Объем м3
0.00029
Ширина (м)
10
Высота (м)
2
Глубина (м)
14.5
EAN128
8806095811673
Реестр МПТ РФ
Нет