Описание
Модель Samsung 990 EVO Plus
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 2000 Гбайт
Тип памяти V-NAND
DRAM буфер: Да
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 7250 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 6300 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 1000000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 1350000 IOPS
Ресурс
Средняя наработка на отказ 1500000 ч
TBW твердотельного накопителя 1200 Тбайт
Назначение: клиентские ПК
Показать полностью
Свернуть
Характеристики
Бренд
Samsung Electronics
Кратность
1
Объем м3
0.00028
Ширина (м)
14
Высота (м)
2
Глубина (м)
10
EAN128
8806095575650
Реестр МПТ РФ
Нет