Описание
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 1000 Гбайт
Тип памяти V-NAND
DRAM буфер: Да
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 7150 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 6300 Мбайт/c
Ресурс
Средняя наработка на отказ 1500000 ч
TBW твердотельного накопителя 600 Тбайт
Назначение: клиентские ПК
Показать полностью
Свернуть
Характеристики
Бренд
Samsung Electronics
Кратность
1
Объем м3
0.00028
Ширина (м)
10
Высота (м)
2
Глубина (м)
14
EAN128
8806095575674
Реестр МПТ РФ
Нет