Категории
Описание
Форм-фактор M.2 22110
Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 3840 Гбайт
Тип памяти 3D TLC
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 5000 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 2000 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 800000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 85000 IOPS
Ресурс
Средняя наработка на отказ 2000000 ч
TBW твердотельного накопителя 7008 Тбайт
Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 3840 Гбайт
Тип памяти 3D TLC
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 5000 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 2000 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 800000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 85000 IOPS
Ресурс
Средняя наработка на отказ 2000000 ч
TBW твердотельного накопителя 7008 Тбайт
Показать полностью
Свернуть
Характеристики
Бренд
Samsung Electronics
Кратность
1
Объем м3
0.000105
Ширина (м)
0.1
Высота (м)
0.015
Глубина (м)
0.07
Реестр МПТ РФ
Нет