Категории
Описание
Форм-фактор U.3
Интерфейс PCIe 5.0 x4
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 1920 Гбайт
Тип памяти 3D TLC
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 12000 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 3500 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 1700000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 150000 IOPS
Ресурс
TBW твердотельного накопителя 3504 Тбайт
Интерфейс PCIe 5.0 x4
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 1920 Гбайт
Тип памяти 3D TLC
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 12000 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 3500 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 1700000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 150000 IOPS
Ресурс
TBW твердотельного накопителя 3504 Тбайт
Показать полностью
Свернуть
Характеристики
Бренд
Samsung Electronics
Кратность
1
Объем м3
0.000105
Ширина (м)
0.07
Высота (м)
0.015
Глубина (м)
0.1
Реестр МПТ РФ
Нет