Категории
Описание
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 1920 Гбайт
Тип памяти 3D TLC
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 6800 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 2700 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 740000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 130000 IOPS
Ресурс
Средняя наработка на отказ 2000000 ч
TBW твердотельного накопителя 3504 Тбайт
Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 1920 Гбайт
Тип памяти 3D TLC
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 6800 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 2700 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 740000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 130000 IOPS
Ресурс
Средняя наработка на отказ 2000000 ч
TBW твердотельного накопителя 3504 Тбайт
Показать полностью
Свернуть
Характеристики
Бренд
Samsung Electronics
Кратность
1
Объем м3
0.00016562
Ширина (м)
0.13
Высота (м)
0.013
Глубина (м)
0.098
Реестр МПТ РФ
Нет