Категории
Описание
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 7680 Гбайт
Тип памяти V-NAND
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 7500 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 4100 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 1600000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 170000 IOPS
Ресурс
Средняя наработка на отказ 2000000 ч
TBW твердотельного накопителя 14016 Тбайт
Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 7680 Гбайт
Тип памяти V-NAND
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 7500 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 4100 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 1600000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 170000 IOPS
Ресурс
Средняя наработка на отказ 2000000 ч
TBW твердотельного накопителя 14016 Тбайт
Показать полностью
Свернуть
Характеристики
Бренд
Samsung Electronics
Кратность
1
Объем м3
0.005247
Ширина (м)
0.275
Высота (м)
0.045
Глубина (м)
0.424
Реестр МПТ РФ
Нет