Категории
Описание
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс PCIe 4.0 x4
Поддержка NVMe: есть
Разъем U.2
Объем и память
Объем накопителя 3.84 ТБ
Тип памяти NAND TLC
Структура памяти NAND 3D
Производительность
Максимальная скоростьчтения 6900 МБ/с
Максимальная скоростьзаписи 4100 МБ/с
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 1000000
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 180000
Надежность и ресурс
Время наработки на отказ 2000000 ч
Способ защиты данных: аппаратное шифрование (AES-256)
Ресурс TBW 7008 ТБ
Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD) 1
Интерфейс PCIe 4.0 x4
Поддержка NVMe: есть
Разъем U.2
Объем и память
Объем накопителя 3.84 ТБ
Тип памяти NAND TLC
Структура памяти NAND 3D
Производительность
Максимальная скоростьчтения 6900 МБ/с
Максимальная скоростьзаписи 4100 МБ/с
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 1000000
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 180000
Надежность и ресурс
Время наработки на отказ 2000000 ч
Способ защиты данных: аппаратное шифрование (AES-256)
Ресурс TBW 7008 ТБ
Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD) 1
Показать полностью
Свернуть
Характеристики
Бренд
Samsung Electronics
Кратность
1
Объем м3
0
Ширина (м)
0
Высота (м)
0
Глубина (м)
0
Реестр МПТ РФ
Нет